[发明专利]功率半导体装置的制造方法及功率半导体装置有效

专利信息
申请号: 201780084722.1 申请日: 2017-01-30
公开(公告)号: CN110235243B 公开(公告)日: 2023-07-18
发明(设计)人: 境纪和;吉田博;石桥秀俊;浅地伸洋 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H05K3/34;B23K1/00;H01L21/60;H01L25/18
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 向铜基座板(3)配置金属掩模(51)。在金属掩模(51)的多个开口部(53)填充焊膏(15),由此,在铜基座板(3)的铜板(5b、5c、5d)的每一者形成焊膏(15)的图案。在焊膏(15)的图案载置半导体元件(9、11)以及导电部件(13)。向铜基座板(3)配置金属掩模(55)。接下来,在金属掩模(55)的多个开口部(57)填充焊膏(17),由此,形成覆盖半导体元件(9、11)以及导电部件(13)这两者的焊膏(17)的图案。以与对应的焊膏(17)的图案接触的方式配置大容量中继基板(21)。通过在大于或等于200℃的温度条件下进行热处理,功率半导体装置(1)完成。
搜索关键词: 功率 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
1.一种功率半导体装置的制造方法,其具备以下工序:准备包含相互电气绝缘的第1导体板以及第2导体板的基座板;将形成有多个第1开口部的第1掩模作为印刷掩模,在所述多个第1开口部的每一者填充第1焊膏,由此,形成与所述第1导体板相接的第1焊料图案第1部分以及与所述第2导体板相接的第1焊料图案第2部分;在所述第1焊料图案第1部分载置第1半导体元件,在所述第1焊料图案第2部分载置第2半导体元件;将形成有多个第2开口部的第2掩模作为其他印刷掩模,在所述多个第2开口部的每一者填充第2焊膏,由此,形成与所述第1半导体元件相接的第2焊料图案第1部分以及与所述第2半导体元件相接的第2焊料图案第2部分;将安装有外部连接端子的中继基板配置于所述第2焊料图案第1部分以及所述第2焊料图案第2部分;以及在配置了所述中继基板之后,实施热处理。
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