[发明专利]CMOS图像传感器有效
| 申请号： | 201780085024.3 | 申请日： | 2017-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN110291782B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 物井·诚 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/3745 | 分类号： | H04N5/3745;H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种CMOS图像传感器。所述CMOS图像传感器包括：PD，其阳极连接到地，其阴极连接到TG的源极；FD；Ca；所述TG，其源极连接到PD的阴极，其漏极连接到FD；SW，其源极连接到电源电压，其漏极连接到RS的源极和所述Ca；所述RS，其源极连接到SW的漏极和所述Ca，其漏极连接到所述FD；AMP，其栅极连接到所述FD，其源极连接到电源电压，其中PD设置在衬底上的第一行，所述AMP、SW和RS中的任意一种器件设置在衬底上的第二行，所述AMP、SW和RS的其余器件设置在衬底上的第三行。本发明的实现目的是缩小高动态范围像素的像素大小。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 | ||
【主权项】：
1.一种互补型金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，简称CMOS)图像传感器，其特征在于，包括：光电二极管(photodiode，简称PD)，其阳极连接到地，其阴极连接到传输栅极(transfer gate，简称TG)的源极；浮动扩散器(floating diffusion，简称FD)；电容器(capacitor，简称Ca)；所述TG，其源极连接到PD的阴极，其漏极连接到FD；开关管(switching transistor，简称SW)，其源极连接到电源电压，其漏极连接到重置栅极(reset gate，简称RS)的源极和所述Ca；所述RS，其源极连接到SW的漏极和Ca，其漏极连接到FD；放大器晶体管(amplifier transistor，简称AMP)，其栅极连接到FD，其源极连接到电源电压，其中，所述PD设置在衬底上的第一行；所述AMP、SW和RS中的任意一种器件设置在衬底上的第二行；所述AMP、SW和RS中的其余器件设置在衬底上的第三行。
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