[发明专利]柱状半导体装置的制造方法

摘要

柱状半导体装置的制造方法包括如下工序：形成包围在Si柱6b上通过外延结晶生长而形成的P+层38a、N+层38b、8c的侧面的圆带状的SiO2层及在包围所述SiO2层的外周部形成AlO层51，以所述AlO层51为掩模，对圆带状的SiO2层进行蚀刻而形成圆带状的接触孔，在所述接触孔埋入W层52c、52d、52e，由此形成圆带状的W层52c、52d、52e(包括缓冲导体层)，所述圆带状的W层52c、52d、52e(包括缓冲导体层)与P+层38a、N+层38b、8c的顶部的侧面相接且在俯视时为等宽度。

主权项

1.一种柱状半导体装置的制造方法，其特征在于包括：基板；在所述基板上形成沿垂直方向延伸的第一半导体柱的工序；形成包围所述第一半导体柱的外周的第一栅极绝缘层的工序；形成包围所述第一栅极绝缘层的第一栅极导体层的工序；在垂直方向上，在所述第一栅极绝缘层的下端形成第一杂质区域的工序，所述第一杂质区域与其上端位置所具有的所述第一半导体柱的内部或所述第一半导体柱的侧面相接；在所述垂直方向上，形成在所述第一栅极导体层的上端以上且所述第一半导体柱的顶部以下的高度具有上表面位置的第一绝缘层的工序；包围在较所述第一绝缘层的上表面更靠上方处露出的所述第一半导体柱的上部的侧面而形成第一材料层的工序；以所述第一材料层为掩模，对所述第一半导体柱的顶部进行蚀刻而形成凹部的工序；在所述凹部使包含施体杂质或受体杂质的第二杂质区域外延结晶生长并加以形成的工序；去除所述第一材料层的工序；形成在俯视时以等宽度包围较所述第一绝缘层更靠上部的所述第二杂质区域的侧面的第二材料层的工序；在所述第二材料层的外周部形成第三材料层的工序；以所述第三材料层与所述第二杂质区域为蚀刻掩模，对所述第二材料层进行蚀刻而形成以所述第一绝缘层为底部的第一接触孔的工序；以及在所述第一接触孔埋入由单层或多层构成的具有导电性的第一导体材料层的工序。