[发明专利]垂直1T-1C DRAM阵列

摘要

一种可编程阵列包括在衬底上的行中对准的多个单元，其中，多个单元中的每者包括可编程元件和晶体管，其中，晶体管包括主体，主体包括第一扩散区和处于第一扩散区上并由沟道分隔的第二扩散区，并且可编程元件设置于第二扩散区上。一种形成集成电路的方法包括：在衬底上的多个行中形成晶体管主体；将掩模材料形成为跨越主体的多个行；通过掩模材料蚀刻主体以限定晶体管主体的宽度尺寸；在蚀刻主体之后，将掩模材料的多个行中的每者图案化成多个个体掩模单元；以及利用可编程元件替换所述多个个体掩模单元中的每者。

主权项

1.一种可编程阵列，包括：在衬底上的行中对准的多个单元，其中，所述多个单元中的每者包括可编程元件和晶体管，其中，所述晶体管包括主体，所述主体包括第一扩散区和处于所述第一扩散区上并由沟道分隔的第二扩散区，并且所述可编程元件设置于所述第二扩散区上。