[发明专利]用于晶体管的栅极在审
| 申请号： | 201780087753.2 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN110383490A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | V·H·勒;A·A·夏尔马;R·皮拉里塞泰;G·W·杜威;S·希瓦拉曼;T·A·特罗尼克;S·加德纳;T·加尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/66;H01L27/108 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了用于一种设备的衬底、组件和技术，其中所述设备包括：栅极，其中，栅极包括第一栅极侧和与所述第一栅极侧相对的第二栅极侧；栅极上的栅极电介质，其中栅极电介质包括第一栅极电介质侧和与第一栅极电介质侧相对的第二栅极电介质侧；第一电介质，其中第一电介质邻接第一栅极侧、第一栅极电介质侧、第二栅极侧和第二栅极电介质侧；沟道，其中栅极电介质在沟道和栅极之间；与沟道耦合的源极；以及与沟道耦合的漏极，其中第一电介质邻接源极和漏极。在示例中，第一电介质和栅极电介质有助于使栅极与沟道、源极和漏极绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极电介质 电介质 沟道 漏极 源极 耦合的 邻接 晶体管 衬底 绝缘 | ||
【主权项】：
1.一种设备，包括：栅极，其中，所述栅极包括第一栅极侧和与所述第一栅极侧相对的第二栅极侧；所述栅极上的栅极电介质，其中，所述栅极电介质包括第一栅极电介质侧和与所述第一栅极电介质侧相对的第二栅极电介质侧；第一电介质，其中，所述第一电介质邻接所述第一栅极侧、所述第一栅极电介质侧、所述第二栅极侧和所述第二栅极电介质侧；沟道，其中，所述栅极电介质在所述沟道和所述栅极之间；与所述沟道耦合的源极；以及与所述沟道耦合的漏极，其中，所述第一电介质邻接所述源极和所述漏极。
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