[发明专利]激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法有效
申请号: | 201780088210.2 | 申请日: | 2017-08-18 |
公开(公告)号: | CN110418691B | 公开(公告)日: | 2022-02-15 |
发明(设计)人: | 今村博亮;藤贵洋;山口芳広 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本制钢所 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;B23K26/10;B65G49/06;H01L21/20 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 日本国东京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 根据一种实施方式的激光照射装置(1)包括:用于生成激光的激光生成装置(14);用于浮起待施加激光的处理对象(16)的浮起单元(10);以及用于传送已浮起的所述处理对象(16)的传送单元(11)。所述传送单元(11)包括:通过吸附所述处理对象(16)而保持该处理对象(16)的保持机构(12);以及用于沿传送方向移动所述保持机构(12)的移动机构(13)。所述保持机构(12)包括:含多个通孔(152)的底座(153);分别与所述多个通孔(152)连接的多条管道(145);用于排空所述多条管道(145)的真空生成装置(144);以及分别设于所述多条管道(145)中央的多个吸附辅助阀(150),每个该吸附辅助阀(150)均设置为当经相应通孔(152)流入相应管道(145)内的气体流量大于或等于阈值时关闭。 | ||
搜索关键词: | 激光 照射 装置 方法 以及 半导体器件 制造 | ||
【主权项】:
1.一种激光照射装置,其特征在于,包括:一激光生成装置,用于生成激光;一浮起单元,用于浮起待施加所述激光的处理对象;以及一传送单元,用于传送被浮起的所述处理对象,其中,所述传送单元包括:一保持机构,用于通过吸附所述处理对象而保持所述处理对象;以及一移动机构,用于沿一传送方向移动所述保持机构,所述保持机构包括:一底座,所述底座包括:用作吸附所述处理对象的吸附表面的第一表面;与所述第一表面相对的第二表面;以及从所述第一表面延伸至所述第二表面的多个通孔;多条管道,每条所述管道在所述底座的所述第二表面上连接到所述多个通孔中相应的一个;一排空机构,用于从所述多条管道排气;以及多个吸附辅助阀,每个所述吸附辅助阀设置在所述多条管道中相应一条管道的中央,每个所述吸附辅助阀均设置为当经过相应通孔流入相应管道内的气体的流量大于或等于一阈值时关闭。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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