[发明专利]基板处理装置、加热单元以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201780088409.5 | 申请日： | 2017-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN110419095A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 野内英博;稻田哲明;立野秀人;宫西裕也 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 张敬强;李平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置，其具备：反应管，其容纳基板；盖部，其封闭形成于反应管的炉口；加热器，其设置于反应管的炉口附近的侧壁的外周；多个温度传感器，其构成为分别测量反应管的炉口附近的侧壁上的在侧壁的周向上互相不同的多个位置的温度；以及控制部，其构成为基于多个温度传感器的每一个的测量值控制加热器。由此，以防止形成处理室的部件的温度产生局部的不均的方式进行加热。 | ||
| 搜索关键词： | 反应管 侧壁 炉口 基板处理装置 温度传感器 加热器 半导体装置 控制加热器 测量反应 加热单元 盖部 基板 外周 加热 测量 容纳 封闭 制造 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：反应管，其容纳基板；盖部，其封闭形成于上述反应管的炉口；加热器，其设置于上述反应管的炉口附近的侧壁的外周；多个温度传感器，其构成为，分别测量上述反应管的炉口附近的侧壁上的在上述侧壁的周向上互相不同的多个位置的温度；以及控制部，其构成为基于上述多个温度传感器的每一个的测量值控制上述加热器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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