[发明专利]MOSFET、MOSFET的制造方法以及电力转换电路有效
| 申请号： | 201780088751.5 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN110462839B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 新井大辅;北田瑞枝;浅田毅;铃木教章;村上晃一 | 申请（专利权）人： | 新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | MOSFET100，具备：半导体基体110，在n型柱形区域113以及p型柱形区域115构成超结结构；以及栅极电极122，通过栅极绝缘膜120形成，其中，在半导体基体110中，当将提供作为MOSFET的主要运作的区域设为活性区域A1、将保持耐压的区域设为外周区域A3、以及将位于活性区域A1与外周区域A3中间的区域设为活性连接区域A2时，在半导体基体110的活性区域A1、活性连接区域A2以及外周区域A3中，晶格缺陷仅被生成于活性区域A1以及活性连接区域A2。此外，电力转换电路，具备：用于制造MOSFET100的制造方法以及MOSFET100。本发明的MOSFET100能够减少恢复损失，并且与以往的MOSFET相比难以产生振动。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 制造 方法 以及 电力 转换 电路 | ||
【主权项】：
1.一种MOSFET，包括：半导体基体，具有n型柱形区域以及p型柱形区域，并且在所述n型柱形区域以及所述p型柱形区域构成超结结构；以及栅极电极，通过栅极绝缘膜形成于所述半导体基体的第一主面侧，其特征在于：/n其中，在所述半导体基体中，当将提供作为所述MOSFET的主要运作的区域设为活性区域、将位于所述活性区域的外周侧并且保持所述MOSFET的耐压的区域设为外周区域、以及将位于所述活性区域与所述外周区域中间的区域设为活性连接区域时，/n在所述半导体基体的所述活性区域、所述活性连接区域以及所述外周区域中，晶格缺陷仅被生成于所述活性区域以及所述活性连接区域。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新电元工业株式会社，未经新电元工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780088751.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
