[发明专利]晶体管制造中的集成的纳米线及纳米带图案化

摘要

基于专门的窄掩模结构的光刻图案化来制作窄结构和宽结构。可以采用多重图案化来限定窄掩模结构。可以通过对多个窄掩模结构的基于工艺的合并而获得宽掩模结构。所述合并可以包括在所述窄结构上方沉积帽盖层，填满最小空间。可以去除所述帽盖层，仅留下最小空间内的残留的帽盖材料。可以基于窄掩模结构和残留的帽盖材料的加和将窄结构和宽结构蚀刻到下层当中。插塞图案可以进一步掩蔽帽盖层的未完全填满相邻的掩模结构之间的空间的部分。之后，可以基于窄掩模结构、插塞图案和残留的帽盖材料的加和对下层进行蚀刻。这样的方法可以用于对集成电路(IC)中的纳米带晶体管与纳米线晶体管进行集成。