[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质有效
| 申请号： | 201780093745.9 | 申请日： | 2017-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN111033701B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 室林正季;原田幸一郎;井川博登;吉野晃生;中山雅则 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;闫剑平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在利用了等离子体的基板处理装置中，抑制因构成处理室的处理容器的温度而产生的处理速率的下降，抑制每个被处理基板的处理速率的不均等。提供一种基板处理装置，该基板处理装置具备：形成处理基板的处理室的至少一部分的处理容器；等离子体生成部，其具有以卷绕在处理容器的外周的方式设置的线圈、以及向线圈供给高频电力的高频电源；基板载置台，其在处理室内，与线圈的下端相比设在下方；设于基板载置台的加热器；以及温度传感器，其对处理容器的与线圈的上端相比位于上方的部分的温度进行测定。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 半导体器件 制造 方法 以及 记录 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社国际电气，未经株式会社国际电气许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780093745.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：传输数据的方法、终端设备和网络设备
- 下一篇：用电动离心泵装置操作油井的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
