[发明专利]蚀刻并机械研磨堆叠在半导体衬底上的膜层在审
| 申请号： | 201780094301.7 | 申请日： | 2017-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN111066125A | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 孔建军;S·唐;T·张;Q·余;S·杨 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 李尚颖 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种方法包括湿法蚀刻堆叠在半导体衬底(200)上的多个膜层(205、210)中的第一膜层(210)，使用第一化学物执行第一膜层(210)的湿法蚀刻，其中第一膜层(210)是堆叠在半导体衬底(200)上的最外膜层。该方法进一步包括使用第二化学物湿法蚀刻多个膜层(205、210)中的第二膜层(205)。该方法还包括使用机械研磨轮来研磨半导体衬底(200)以减小半导体衬底(200)的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 机械 研磨 堆叠 半导体 衬底 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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