[发明专利]具有成分和尺寸截然不同的沟道区和亚沟道区的晶体管在审
| 申请号： | 201780094332.2 | 申请日： | 2017-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN111052348A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | K·贾姆布纳坦;G·A·格拉斯;A·S·默西;J·S·康;B·E·贝蒂;A·波旺德;B·古哈;J·H·南;T·加尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L29/78;H01L29/66;H01L29/417 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 集成电路包括具有上部/沟道区和下部/亚沟道区的鳍，下部区域具有第一化学成分以及与绝缘体材料相邻的相对侧壁，上部区域具有第二化学成分。第一宽度指示在第一位置上的下部区域的相对侧壁之间的距离，其比指示在第二位置上的上部区域的相对侧壁之间的距离的第二宽度宽至少1nm，第一位置在第二位置的10nm以内(或者以其他方式相互靠近)。第一化学成分与第二化学成分截然不同，并且包括位于下部区域的相对侧壁的外表面处的表面化学成分以及位于其间的体块化学成分，所述表面化学成分包括氧、氮、碳、氯、氟和硫中的一者或多者。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 成分 尺寸 截然不同 沟道 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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