[发明专利]有源硅上封装半导体封装在审
| 申请号： | 201780094473.4 | 申请日： | 2017-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN111052368A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | W.戈梅斯;S.加尼森;D.因格利;R.桑克曼;M.博尔;D.马利克 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L25/07;H01L23/12;H01L23/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李啸;姜冰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于提供低剖面堆叠管芯半导体封装的系统和方法，其中第一半导体封装与第二半导体封装堆叠，并且两个半导体封装都传导耦合到有源硅衬底，该有源硅衬底使第一半导体封装通信地耦合到第二半导体封装。第一半导体封装可使用采用具有第一互连节距的第一互连模式设置的多个互连而传导耦合到有源硅衬底。第二半导体封装可使用采用具有第二节距的第二互连模式设置的多个互连而传导耦合到有源硅衬底，该第二节距大于第一节距。第二半导体封装可以堆叠在第一半导体封装上，并且使用多个传导构件或多个接合线而传导耦合到有源硅衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 封装 半导体 | ||
【主权项】：
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