[发明专利]具有掩埋栅的场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201780095393.0 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111201610A | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | H·W·田;P·菲舍尔;M·拉多萨夫列维奇;S·达斯古普塔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/66;H01L21/8234;H01L29/423 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张海燕 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了具有掩埋栅的场效应晶体管及其制造方法。示例性装置包括源极，漏极以及被设置于源极和漏极之间的半导体材料。示例性装置还包括与半导体材料相邻设置的第一栅极。示例性装置还包括与半导体材料相邻设置的第二栅极。半导体材料的一部分被设置于第一栅极和第二栅极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掩埋 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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