[发明专利]光掩膜、显示装置以及显示装置的制造方法在审
| 申请号： | 201780095416.8 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN111149055A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 郡司辽佑;冈部达;谷山博己;市川伸治;斋田信介;神村浩治;仲田芳浩;井上彬 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/32 | 分类号： | G03F1/32;H01L51/50 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 王娟 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种光掩膜(1)包括：透过部，其形成所述开口部；半透射光部，其形成所述平坦部；以及遮光部，其形成所述感光间隔部，所述遮光部在排列成格子状的多个所述透过部之间形成为岛状，并且夹于2个所述透过部的所述遮光部的端部形成为沿所述透过部的外缘延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩膜 显示装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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