[发明专利]半导体装置的试验方法及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201780096335.X | 申请日： | 2017-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN111279173B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木肇 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G01M3/24 | 分类号： | G01M3/24;H01L21/66;H01L23/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置的试验方法，该半导体装置形成了在形成有元件的基板晶片(1)和与所述基板晶片(1)相对地设置的盖晶片(3)之间具有气密空间(7)的封装件，该半导体装置的试验方法包含下述工序：水分赋予工序，在将所述半导体装置暴露于高湿环境之后进行冷却；以及泄漏判别工序，通过向在所述基板晶片(1)形成的元件(4)供给电力，对所述半导体装置产生的声波进行检测而判别所述封装件的泄漏。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 试验 方法 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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