[其他]半导体器件有效
申请号: | 201790000368.5 | 申请日: | 2017-08-23 |
公开(公告)号: | CN208028042U | 公开(公告)日: | 2018-10-30 |
发明(设计)人: | 中矶俊幸;松枝齐;铃木隆信;梶原健二;松本英显 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所;新日本无线株式会社 |
主分类号: | H01L21/822 | 分类号: | H01L21/822;H01L21/329;H01L21/76;H01L23/12;H01L27/04;H01L29/861;H01L29/866;H01L29/868 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李洋;青炜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本实用新型提供半导体器件。半导体器件(100)具备:基板(20),其具有第一主面(10A)、第二主面(20B)以及侧表面;元件区域(40),在基板(20)上设置于第一主面(10A)侧,形成有半导体元件;以及布线层(90),其设置于第一主面(10A)上,包括与半导体元件形成电连接的多个端子电极(80A、80B),基板(10)具有在对第一主面(10A)俯视观察下形成于基板(10)的周缘的多个周缘区域(30A、30B),在对第一主面(10A)俯视观察下,多个端子电极(80A、80B)分别与多个周缘区域(30A、30B)各自相邻,在对第一主面(10A)俯视观察下,多个端子电极(80A、80B)和元件区域(40)位于比多个周缘区域(30A、30B)靠内侧位置,多个周缘区域(20A、30B)彼此绝缘,元件区域(40)和多个端子电极(80A、80B)与多个周缘区域(30A、30B)绝缘。 | ||
搜索关键词: | 主面 周缘区域 端子电极 基板 半导体器件 俯视观察 元件区域 半导体元件 绝缘 本实用新型 内侧位置 布线层 侧表面 电连接 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,其特征在于,具备:基板,其具有第一主面、第二主面以及侧表面;元件区域,其在所述基板上设置于所述第一主面侧,形成有半导体元件;以及布线层,其设置于所述第一主面上,包括与所述半导体元件形成电连接的多个端子电极,所述基板具有多个周缘区域,在对所述第一主面的俯视观察下,所述多个周缘区域形成于所述基板的周缘,在对所述第一主面俯视观察下,所述多个端子电极分别与所述多个周缘区域各自相邻,在对所述第一主面俯视观察下,所述多个端子电极和所述元件区域位于比所述多个周缘区域靠内侧的位置,所述多个周缘区域相互绝缘,所述元件区域和所述多个端子电极与所述多个周缘区域绝缘,所述基板具有绝缘部,所述绝缘部被设置为,在所述多个周缘区域彼此之间以及所述多个周边区域各自与所述元件区域之间,从所述第一主面贯通至所述第二主面,所述绝缘部使所述多个周缘区域相互绝缘,使所述多个周缘区域与所述元件区域绝缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造