[发明专利]半导体存储装置及其数据读出方法有效
| 申请号： | 201810002073.2 | 申请日： | 2018-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN108305661B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 小嶋英充 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储装置及其数据读出方法。该半导体存储装置包括列选择电路，基于列选择信号YS在从页缓冲器100读出的数据中选择n位数据，将选择的数据输出至n位数据总线40；差动感测放大器30，回应激活信号SAE以感测数据总线40的n位的数据；输出电路60，回应与外部供给的串列时脉信号SCLK同步的时脉信号PSCCLK，从差动感测放大器30所感测的n位的数据选择m位的数据，将选择的m位的数据从输出端子输出；验证电路100，比较差动感测放大器30A感测的数据与从输出电路60输出的数据，以验证读出数据的正误。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 数据 读出 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：列选择电路，基于列选择信号在从存储单元阵列所读出的数据中选择n位的数据，且将所选择的所述数据输出至n位的数据总线；感测电路，回应激活信号以感测所述数据总线的n位的数据；输出电路，回应与外部供给的串列时脉信号同步的内部时脉信号，而从所述感测电路所感测的n位的数据中选择m位的数据，且使所选择的所述m位的数据从输出端子输出；验证电路，将所述感测电路所感测的数据与从所述输出电路输出的数据进行比较，以验证读出数据的正误；其中，m是1以上的整数且n≧m，相关于所述激活信号的1周期有n/m个周期的内部时脉信号被产生。
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