[发明专利]晶体管、显示基板、显示装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201810002293.5 | 申请日： | 2018-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN108231869B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 王骏;黄中浩;赵永亮;林承武 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 滕一斌 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种晶体管、显示基板、显示装置及其制造方法，属于半导体领域。其中的晶体管包括半导体结构，所述半导体结构包括：源极区和漏极区；沟道区，位于所述源极区和所述漏极区之间，被构造为在所述晶体管的开态下提供所述源极区和所述漏极区之间的载流子迁移通路；俘获区，至少部分地嵌入所述沟道区，被构造为在所述晶体管的关态下俘获在所述源极区和所述漏极区之间迁移的载流子。基于俘获区嵌入沟道区的设计，本公开能够利用俘获区对形成关态漏电流的迁移载流子起到束缚作用，因而能够降低晶体管的关态漏电流，有助于提升相关器件和产品的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 显示 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，包括半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：源极区和漏极区；沟道区，位于所述源极区和所述漏极区之间，被构造为在所述晶体管的开态下提供所述源极区和所述漏极区之间的载流子迁移通路；俘获区，至少部分地嵌入所述沟道区，被构造为在所述晶体管的关态下俘获在所述源极区和所述漏极区之间迁移的载流子。
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