[发明专利]一种微型发光二极管转印方法及阵列基板有效
| 申请号： | 201810002730.3 | 申请日： | 2018-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN108227375B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 邹祥祥;何晓龙 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/004 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 刘悦晗;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种微型发光二极管转印方法及阵列基板，通过在阵列基板的有机层上形成包括上小下大的开口的光刻胶图形，该开口的上边缘的尺寸小于或等于待转印的发光元件的尺寸，这样，在将携带有待转印的发光元件的转移基板与阵列基板对位后，通过向转移基板施加压力，可以将待转印的发光元件牢固卡合在该开口内，从而增加待转印的发光元件在阵列基板上的附着性，在移除转移基板的过程中，降低待转印的发光元件被转移基板带走的风险，增加转印成功率，提高产品良率，避免产生暗点不良。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微型 发光二极管 方法 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种微型发光二极管转印方法，其特征在于，包括以下步骤：在阵列基板的有机层上形成光刻胶层，并在待转印位置形成光刻胶图形，所述光刻胶图形在垂直于光刻胶层的截面为贯穿所述光刻胶层的开口，所述开口远离所述有机层一侧的尺寸小于或等于待转印的发光元件的尺寸，且所述开口远离所述有机层一侧的尺寸小于所述开口邻近所述有机层一侧的尺寸；将携带有所述待转印的发光元件的转移基板与所述阵列基板对位，并向所述转移基板施加压力，以使所述发光元件与所述开口卡合；移除所述转移基板，以使所述待转印的发光元件转印至所述阵列基板。
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