[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置、薄膜晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 201810003125.8 | 申请日： | 2018-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN108257975B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 薛进进;史大为;王文涛;杨璐;徐海峰;闫雷;闫芳;姚磊;候林 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置、薄膜晶体管的制备方法，涉及显示技术领域，可解决GOA区设置的电容较小的问题。该阵列基板包括显示区域和GOA区，所述GOA区包括依次层叠设置的半导体图案、第一绝缘图案、第一金属图案、第二绝缘图案和第二金属图案；其中，所述第一金属图案穿过所述第一绝缘图案上的过孔与所述半导体图案电连接，或者所述第二金属图案穿过所述第一绝缘图案和所述第二绝缘图案上的过孔与所述半导体图案电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制备 方法 显示装置 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板，包括显示区域和GOA区，其特征在于，所述GOA区包括依次层叠设置的半导体图案、第一绝缘图案、第一金属图案、第二绝缘图案和第二金属图案；其中，所述第一金属图案穿过所述第一绝缘图案上的过孔与所述半导体图案电连接，或者所述第二金属图案穿过所述第一绝缘图案和所述第二绝缘图案上的过孔与所述半导体图案电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
