[发明专利]薄膜晶体管基板及其制作方法、像素结构、显示装置在审
| 申请号： | 201810004166.9 | 申请日： | 2018-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN108565246A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 李梁梁;刘正;林滨 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;福州京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 刘延喜 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管基板及其制作方法、像素结构、显示装置，所述薄膜晶体管基板的制作方法包括：利用包含有金属靶材的材料，在衬底基板上形成过渡层；在形成过渡层的过程中通入氧气，以使所述金属靶材氧化形成能够吸光的吸光层；在所述吸光层上形成源漏极金属导电层；通过刻蚀工艺，将预设透光区域的吸光层和源漏极金属导电层一并去除。本发明在衬底基板的非透光区域制作吸光层，以减少衬底基板在非透光区域的光反射，进而减少TFT基板外表面对环境光的镜面反射；同时，该金属氧化膜层还可作为遮光层，对不需要透光的位置进行遮挡，减少了有源层的光生载流子产生，改善TFT基板特性；尤其适合于制作窄边框和/或曲面的显示组件或显示装置。 | ||
| 搜索关键词： | 吸光层 薄膜晶体管基板 衬底基板 显示装置 制作 非透光区域 金属导电层 金属靶材 像素结构 过渡层 源漏极 光生载流子 金属氧化膜 镜面反射 刻蚀工艺 透光区域 显示组件 光反射 环境光 窄边框 遮光层 透光 去除 吸光 预设 源层 遮挡 氧气 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，包括：利用包含有金属靶材的材料，在衬底基板上形成过渡层；在形成过渡层的过程中通入氧气，以使所述金属靶材氧化形成能够吸光的吸光层；在所述吸光层上形成源漏极金属导电层；通过刻蚀工艺，将预设透光区域的吸光层和源漏极金属导电层一并去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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