[发明专利]发光二极管及其制备方法、照明装置有效
申请号: | 201810004954.8 | 申请日: | 2018-01-03 |
公开(公告)号: | CN108231967B | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 胡威威;高锦成;惠官宝 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L33/10 | 分类号: | H01L33/10;H01L33/22;H01L33/24;H01L33/32;H01L33/00 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 曲鹏;张京波 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种发光二极管及其制造方法和显示装置。发光二极管,包括衬底以及设置在所述衬底上的发光功能层,所述发光功能层中设置有用于改变光线传输路径的漫射结构。本发明通过在发光功能层内设置漫射结构,漫射结构能够改变光线传输路径,减小了光在发光二极管内部出现的全反射,进而减少由于全反射所造成的损耗,提高了出光效率,增大了外量子效率。本发明技术手段简洁,效果明显,易于实施,具有广泛的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 发光功能层 漫射结构 光线传输 全反射 衬底 外量子效率 出光效率 技术手段 显示装置 照明装置 减小 制备 应用 制造 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管,其特征在于,包括衬底以及设置在所述衬底上的发光功能层,所述发光功能层中设置有用于改变光线传输路径的漫射结构;所述发光功能层包括在所述衬底上依次设置的第一有源层、量子阱、第二有源层、欧姆接触层和导电层,所述漫射结构设置在所述欧姆接触层中;所述欧姆接触层包括第一掺杂层和第二掺杂层,所述第一掺杂层设置在所述第二有源层上,表面形成有规则排布的多个棱锥形,所述第二掺杂层设置在所述第一掺杂层上,使所述第一掺杂层和第二掺杂层之间的接触面形成漫射结构。
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