[发明专利]掩模板及制备方法、膜层制备方法和封装结构有效
申请号: | 201810008037.7 | 申请日: | 2018-01-04 |
公开(公告)号: | CN108172505B | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
发明(设计)人: | 周炟;蒋志亮;莫再隆;吕雪峰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/033;H01L27/32;H01L51/00;H01L51/56 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 罗瑞芝;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明属于显示技术领域,具体涉及一种掩模板、掩模板的制备方法、膜层制备方法和封装结构。该掩模板至少划分为透过区和遮挡区,其包括基体,在所述遮挡区邻接所述透过区的边缘、在垂直于所述基体的方向上设置有凸块,所述凸块在靠近透过区处的高度大于远离透过区处的高度。采用该掩模板,能有效防止气相沉积物断裂物脱落,降低脱落物污染基板,减小沉积阴影;同时还延长了掩模板在一个蒸镀周期内的更换时间,进一步提高产能,降低成本;从而,该封装结构在保持开口率不变条件下使得第一无机膜层和第二无机膜层的对位裕量进一步提升,提升薄膜封装、尤其是侧面封装的信赖性。 | ||
搜索关键词: | 掩模板 制备 封装结构 无机膜层 遮挡区 膜层 凸块 气相沉积物 薄膜封装 污染基板 开口率 脱落物 信赖性 邻接 产能 对位 减小 裕量 蒸镀 沉积 封装 断裂 垂直 阴影 侧面 | ||
【主权项】:
1.一种掩模板,所述掩模板至少划分为透过区和遮挡区,其特征在于,所述掩模板包括基体,在所述遮挡区邻接所述透过区的边缘、垂直于所述基体所在平面的方向上设置有凸块,所述凸块在靠近所述透过区处的高度大于远离所述透过区处的高度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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