[发明专利]掩模板及制备方法、膜层制备方法和封装结构有效

专利信息
申请号: 201810008037.7 申请日: 2018-01-04
公开(公告)号: CN108172505B 公开(公告)日: 2019-09-24
发明(设计)人: 周炟;蒋志亮;莫再隆;吕雪峰 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;H01L21/033;H01L27/32;H01L51/00;H01L51/56
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 罗瑞芝;陈源
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明属于显示技术领域,具体涉及一种掩模板、掩模板的制备方法、膜层制备方法和封装结构。该掩模板至少划分为透过区和遮挡区,其包括基体,在所述遮挡区邻接所述透过区的边缘、在垂直于所述基体的方向上设置有凸块,所述凸块在靠近透过区处的高度大于远离透过区处的高度。采用该掩模板,能有效防止气相沉积物断裂物脱落,降低脱落物污染基板,减小沉积阴影;同时还延长了掩模板在一个蒸镀周期内的更换时间,进一步提高产能,降低成本;从而,该封装结构在保持开口率不变条件下使得第一无机膜层和第二无机膜层的对位裕量进一步提升,提升薄膜封装、尤其是侧面封装的信赖性。
搜索关键词: 掩模板 制备 封装结构 无机膜层 遮挡区 膜层 凸块 气相沉积物 薄膜封装 污染基板 开口率 脱落物 信赖性 邻接 产能 对位 减小 裕量 蒸镀 沉积 封装 断裂 垂直 阴影 侧面
【主权项】:
1.一种掩模板,所述掩模板至少划分为透过区和遮挡区,其特征在于,所述掩模板包括基体,在所述遮挡区邻接所述透过区的边缘、垂直于所述基体所在平面的方向上设置有凸块,所述凸块在靠近所述透过区处的高度大于远离所述透过区处的高度。
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