[发明专利]一种半导体晶圆的处理方法在审
| 申请号： | 201810009981.4 | 申请日： | 2018-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN108183067A | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 王献兵 | 申请（专利权）人： | 苏州同冠微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/302;H01L21/306 |
| 代理公司： | 常州智慧腾达专利代理事务所(普通合伙) 32328 | 代理人： | 曹军 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体晶圆的处理方法，包括步骤：S101.在半导体晶圆的正面贴附UV膜；S102.对S101处理后的半导体晶圆的边缘进行修膜检验；S103.对S102处理后的半导体晶圆进行背面减薄；S104.对背面减薄后的半导体晶圆采用腐蚀液进行背面腐蚀；S105.用UV灯照射S104处理后的半导体晶圆，除去半导体晶圆正面贴附的UV膜；S106.对S105处理后的半导体晶圆背面蒸发金属化后检验。其有效克服了减薄后应力及损伤层的修复去除甚微或不彻底的问题，保证背面金属层与半导体晶圆之间的结合力，杜绝金属层掉落、翘曲现象的发生，保证产品的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体晶圆 背面减薄 贴附 背面 半导体晶圆正面 背面金属层 蒸发金属 腐蚀液 结合力 金属层 损伤层 掉落 检验 减薄 翘曲 去除 保证 腐蚀 修复 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶圆的处理方法，包括步骤：S101.在半导体晶圆的正面贴附UV膜；S102.对S101处理后的半导体晶圆的边缘进行修膜检验；S103.对S102处理后的半导体晶圆进行背面减薄；S104.对背面减薄后的半导体晶圆采用腐蚀液进行背面腐蚀，腐蚀时间为15～20min，腐蚀温度为21～23℃，半导体晶圆的背面腐蚀量为5～8um；S105.用UV灯照射S104处理后的半导体晶圆，除去半导体晶圆正面贴附的UV膜；S106.对S105处理后的半导体晶圆背面蒸发金属化后检验。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
