[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法、显示面板有效
| 申请号： | 201810011442.4 | 申请日： | 2018-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN110010695B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 张迪 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 姜春咸;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管包括半导体层、源极和漏极，所述半导体层包括有源层和超疏水层，所述有源层包括源极接触部、漏极接触部和沟道部，所述源极与所述源极接触部相对应，所述漏极与所述漏极接触部相对应，所述超疏水层设置在所述有源层朝向所述源极和漏极的表面上，所述超疏水层包括多个从所述有源层表面凸出的多级微纳结构，所述超疏水层至少覆盖所述有源层的沟道部。本发明还提供一种阵列基板、该阵列基板的制造方法和显示面板。所述薄膜晶体管利用超疏水层作为刻蚀阻挡层，可以避免湿刻时对有源层造成损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 显示 面板 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括半导体层、源极和漏极，所述半导体层包括有源层和超疏水层，所述有源层包括源极接触部、漏极接触部和沟道部，所述源极与所述源极接触部相对应，所述漏极与所述漏极接触部相对应，所述超疏水层设置在所述有源层朝向所述源极和漏极的表面上，所述超疏水层包括多个从所述有源层表面凸出的多级微纳结构，所述超疏水层至少覆盖所述有源层的沟道部。
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