[发明专利]一种背接触晶体硅异质结太阳能电池及制备方法

摘要

本发明公开了一种背接触晶体硅异质结太阳能电池，所述太阳能电池包括：硅基体、第一钝化层、第二钝化层、减反射薄膜、金属氧化物反射极、金属电极、LiFx薄膜；第一钝化层沉积在所述硅基体上表面；减反射薄膜沉积在第一钝化层的上表面；第二钝化层沉积在所述硅基体下表面；金属氧化物反射极沉积在第二钝化层的下表面的一端，LiFx薄膜沉积在第二钝化层的下表面的另一端；金属电极蒸镀在所述金属氧化物反射极和LiFx薄膜的下表面；金属氧化物反射极和LiFx薄膜之间设置有空隙；金属氧化物反射极为太阳能电池的正极，金属电极为所述太阳能电池的负极。本发明通过设置金属氧化物反射极，避免了由发射极引起的寄生性吸收、俄歇复合和“死层”问题。

主权项

1.一种背接触晶体硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括：硅基体、第一钝化层、第二钝化层、减反射薄膜、金属氧化物反射极、金属电极、LiFx薄膜；所述第一钝化层沉积在所述硅基体上表面；所述减反射薄膜沉积在所述第一钝化层的上表面；所述第二钝化层沉积在所述硅基体下表面；所述金属氧化物反射极沉积在所述第二钝化层的下表面的一端，所述LiFx薄膜沉积在所述第二钝化层的下表面的另一端；所述金属电极蒸镀在所述金属氧化物反射极和所述LiFx薄膜的下表面；所述金属氧化物反射极和所述LiFx薄膜之间设置有空隙；所述金属氧化物反射极为所述太阳能电池的正极，所述金属电极为所述太阳能电池的负极。