[发明专利]形成对准掩模或一组对准掩模的方法、半导体装置

摘要

一种形成对准掩模的方法包括：在基底上刻蚀参考标记，以区分刻蚀区的边界；使用曝光设定值在基底上形成刻蚀掩模，所述刻蚀掩模具有边界；以及测量参考标记与所述边界之间的距离。当所测量的距离超过目标距离的容限时，则自基底移除刻蚀掩模，改变曝光设定值，使用改变后的所述曝光设定值形成下一刻蚀掩模，并重复所述测量。可在一组层阶中的顶部层阶上刻蚀一组参考标记，以区分各刻蚀区的边界。可执行刻蚀‑修整制程以在所述一组层阶中形成台阶，其中所述刻蚀‑修整制程至少包括使用第一参考标记及第二参考标记的第一刻蚀‑修整循环及第二刻蚀‑修整循环。

主权项

1.一种形成对准掩模的方法，包括：在基底上刻蚀参考标记，以区分刻蚀区的边界；使用曝光设定值在所述基底上形成刻蚀掩模，所述刻蚀掩模具有边界；测量所述参考标记与所述刻蚀掩模的所述边界之间的距离；当所测量的所述距离超过目标距离的容限时，则自所述基底移除所述刻蚀掩模，改变所述曝光设定值，使用改变后的所述曝光设定值形成下一刻蚀掩模，并重复所述测量；以及当所测量的所述距离处于所述容限内时，则在刻蚀制程中使用所述刻蚀掩模。