[发明专利]发光二极管结构有效
| 申请号： | 201810015565.5 | 申请日： | 2014-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN107968139B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 李玉柱 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/36 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 中国台湾台南市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管结构。发光二极管结构包括基板、N型半导体层、发光层以及P型半导体层。N型半导体层配置于基板上。发光层适于发出主要发光波长介于365奈米至490奈米之间的光且配置于N型半导体层上。P型半导体层配置于发光层上，且包括P型氮化铝镓层。P型氮化铝镓层的厚度占整体P型半导体层的厚度的85％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管结构，其特征在于，包括：N型半导体层；发光层，配置于所述N型半导体层上；第一P型半导体层，配置于所述发光层上且包含铝；以及第二P型半导体层，配置于所述第一P型半导体层上且包含铝，其中所述第一P型半导体层的铝含量大于所述第二P型半导体层的铝含量，且所述第一P型半导体层的掺质浓度大于所述第二P型半导体层的掺质浓度。
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