[发明专利]一种具有抗单粒子瞬态效应的缓冲器有效
| 申请号： | 201810019058.9 | 申请日： | 2018-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN108336992B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 彭春雨;刘畅咏;吴秀龙;蔺智挺;黎轩;陈军宁 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;郑哲 |
| 地址： | 230601 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有抗单粒子瞬态效应的缓冲器，包括：依次连接多级的反相器，所有反相器均包括三个PMOS管和三个NMOS管；其中：第一PMOS管的源端接VDD；第一PMOS管的漏端接第二PMOS管的源端和第一NMOS管的漏端，这一节点记为第一输出节点；第二PMOS管的漏端接第三PMOS管的源端和第二NMOS管的漏端；第三PMOS管的漏端接第三NMOS3管的漏端，记为第二输出节点；第一、第二与第三NMOS管的源端均接VSS；第一级反相器三个PMOS管和三个NMOS管的栅端都接输入n1；上一级反相器的第一输出节点接下一级反相器中三个PMOS管的栅端，上一级反相器的第二输出节点接下一级反相器中三个NMOS管的栅端。该缓冲器可以避免单粒子瞬态效应对整个电路的影响，从而提高稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 粒子 瞬态 效应 缓冲器 | ||
【主权项】：
1.一种具有抗单粒子瞬态效应的缓冲器，其特征在于，包括：依次连接多级的反相器，所有反相器的结构相同，均包括三个PMOS管和三个NMOS管；其中：第一PMOS管的源端接VDD；第一PMOS管的漏端接第二PMOS管的源端和第一NMOS管的漏端，这一节点记为第一输出节点；第二PMOS管的漏端接第三PMOS管的源端和第二NMOS管的漏端；第三PMOS管的漏端接第三NMOS3管的漏端，记为第二输出节点；第一、第二与第三NMOS管的源端均接VSS；第一级反相器三个PMOS管和三个NMOS管的栅端都接输入n1；上一级反相器的第一输出节点接下一级反相器中三个PMOS管的栅端，上一级反相器的第二输出节点接下一级反相器中三个NMOS管的栅端。
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