[发明专利]基片处理装置有效
| 申请号： | 201810021832.X | 申请日： | 2018-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN108335968B | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 赤田光;桥本和也 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供使用简易的装置恰当地测定处理气体的浓度。本发明的疏水化处理装置(41)使用含有离子的处理气体对晶片(W)进行处理，其包括：用于收纳晶片(W)的处理容器(300)；对处理容器(300)的内部供给HMDS气体的气体供给部(320)；对处理容器(300)的内部进行排气的排气部(340)；和离子传感器(346)，其至少测定处理容器(300)的内部、气体供给部(320)的内部或排气部(340)的内部的气体中所含有的离子的数量。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基片处理装置，其使用含有离子的处理气体对被处理基片进行处理，所述基片处理装置的特征在于，包括：用于收纳被处理基片的处理容器；对所述处理容器的内部供给处理气体的气体供给部；对所述处理容器的内部进行排气的排气部；和离子传感器，其至少测定所述处理容器的内部、所述气体供给部的内部或所述排气部的内部的气体中所含有的所述离子的数量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810021832.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
