[发明专利]磁存储器装置有效
| 申请号： | 201810022092.1 | 申请日： | 2018-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN108288670B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 郑大恩 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种磁存储器装置，包括衬底上的磁隧道结图案和磁隧道结图案上的掩模结构。掩模结构包括导电图案和牺牲图案，其中导电图案在磁隧道结图案与牺牲图案之间，牺牲图案包括相对于导电图案具有蚀刻选择性的材料。所述装置包括与掩模结构的导电图案的表面接触的上接触插塞。所述装置包括覆盖衬底的单元区和外围电路区的下层间绝缘层，其中单元区上的下层间绝缘层在邻近的磁隧道结图案之间具有凹进的顶表面。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储器装置，包括：位于衬底上的磁隧道结图案；掩模结构，其包括导电图案和牺牲图案，所述导电图案在所述磁隧道结图案与所述牺牲图案之间，所述牺牲图案包括相对于所述导电图案具有蚀刻选择性的材料；以及上接触插塞，其与所述导电图案的表面接触。
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