[发明专利]用于NB‑IOT技术的射频功率放大器

摘要

本发明揭露了一种射频功率放大器，其包括基板；射频输入端；射频输出端；依次耦接于所述射频输入端和所述射频输出端之间的输入匹配电路、第一级射频功率放大结构、级间匹配电路、第二级射频功率放大结构和输出匹配电路。输入匹配电路、级间匹配电路和输出匹配电路中的电感均是由基板上的传输线形成。无需采用SMD电感，设计简单，降低了成本。

主权项

一种射频功率放大器，其特征在于，其包括：基板；射频输入端；射频输出端；依次耦接于所述射频输入端和所述射频输出端之间的输入匹配电路、第一级射频功率放大结构、级间匹配电路、第二级射频功率放大结构和输出匹配电路，其中第一级射频功率放大结构包括第一射频功率放大晶体管和第一偏置电路，第一偏置电路给第一射频功率放大晶体管的基极提供偏置电压，第二级射频功率放大结构包括第二射频功率放大晶体管和第二偏置电路，第二偏置电路给第二射频功率放大晶体管的基极提供偏置电压，输入匹配电路包括依次耦接于射频输入端和第一射频功率放大晶体管的基极之间的电容C1和电阻R1、依次耦接于第一射频功率放大晶体管的集电极和基极之间的电容C2和电阻R4，以及耦接于射频输入端和接地端之间的电感L1；级间匹配电路包括耦接于电源端和第一射频功率放大晶体管的集电极之间的电感RFC1、依次耦接于第一射频功率放大晶体管的集电极和第二射频功率放大晶体管的基极之间的电容C4、电容C5和电阻R5，耦接于电容C4和电容C5的中间节点和接地端之间的电感L3，耦接于第一射频功率放大晶体管的集电极和接地端之间的电容C3和电感L2；输出匹配电路包括耦接于电源端和第二射频功率放大晶体管的集电极之间的电感RFC2、耦接于第二射频功率放大晶体管的集电极和射频输出端之间的电容C8，依次耦接于第二射频功率放大晶体管的集电极和接地端之间的电容C6和电感L4，依次耦接于第二射频功率放大晶体管的集电极和接地端之间的电容C7和电感L5，耦接于射频输出端和接地端之间的电感L6；其中电感L1、电感L2、电感L3、电感L4、电感L5、电感L6、电感RFC1、电感RFC2、电感RFC3均由基板上的传输线形成。