[发明专利]存储器单元

摘要

本公开提供一种存储器单元。该存储器单元包括一基底、一深沟渠电容器，形成在该基底中，以及一垂直晶体管，形成在该基底上且电性连接至该深沟渠电容器。该垂直晶体管包括一源极区和一漏极区，堆叠在该基底上、一通道区，垂直夹在该源极区和该漏极区之间，以及一栅极结构，环状围绕该通道区。存储器单元由形成在该基底中的该深沟渠电容器和形成在该基底上的垂直晶体管所构成，由于载子迁移率得到了改善，所以获得了高性能的晶体管，且因通道漏电流被抑制，所以达到了对通道区更好的电气控制。

主权项

1.一存储器单元，包括：一基底；一深沟渠电容器，形成在该基底中；以及一垂直晶体管，形成在该基底上，且电性连接至该深沟渠电容器，其中该垂直晶体管包括：一源极区和一漏极区，垂直堆叠在该基底上；一通道区，垂直夹在该源极区和该漏极区中；以及一栅极结构，环状围绕该通道区。