[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201810026747.2 | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN110034187B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 张焕云;吴健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底上具有鳍部，所述隔离区鳍部中具有开口；在所述衬底上形成初始隔离结构，所述初始隔离结构覆盖所述鳍部侧壁，且所述初始隔离结构填充所述开口；在所述隔离区初始隔离结构上形成保护层，所述保护层侧壁表面具有侧墙；以所述保护层和侧墙为掩膜对所述初始隔离结构进行刻蚀，在所述开口中形成第一隔离结构，并在所述器件区形成第二隔离结构所述器件区的隔离结构表面低于所述鳍部顶部表面。所述形成方法能够改善半导体结构性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有鳍部，所述鳍部包括隔离区和位于所述隔离区两侧的器件区，所述隔离区鳍部中具有开口，所述开口在平行于衬底表面且垂直于所述鳍部延伸方向上贯穿所述鳍部；在所述衬底上形成初始隔离结构，所述初始隔离结构覆盖所述鳍部侧壁，且所述初始隔离结构填充所述开口；在所述隔离区初始隔离结构上形成保护层，所述保护层侧壁表面具有侧墙；以所述保护层和侧墙为掩膜对所述初始隔离结构进行刻蚀，在所述开口内形成第一隔离结构，并形成覆盖鳍部侧壁的第二隔离结构，所述第二隔离结构表面低于所述鳍部顶部表面。
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