[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201810027197.6 | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN110034069B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 张焕云;吴健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法，包括：提供基底，基底上具有鳍部，鳍部包括隔离区和位于所述隔离区两侧的器件区，隔离区鳍部中具有开口，开口在平行于基底表面且垂直于鳍部延伸方向上贯穿鳍部；在基底的表面、以及鳍部的侧壁和顶部形成初始隔离结构，且初始隔离结构填充开口；在隔离区部分初始隔离结构上形成保护层，保护层侧壁表面具有侧墙，且侧墙覆盖器件区初始隔离结构的顶部；以保护层和侧墙为掩膜，去除部分初始隔离结构，在所述隔离区形成第一隔离结构，所述第一隔离结构充满所述开口，并在器件区形成覆盖鳍部侧壁的第二隔离结构，所述第二隔离结构表面低于鳍部的顶部表面。所述方法形成的器件性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面具有鳍部，所述鳍部包括隔离区和位于所述隔离区两侧的器件区，所述隔离区鳍部中具有开口，所述开口在平行于基底表面且垂直于所述鳍部延伸方向上贯穿所述鳍部；在所述基底的表面、以及鳍部的侧壁和顶部表面形成初始隔离结构，且所述初始隔离结构填充所述开口；在所述隔离区部分初始隔离结构上形成保护层，所述保护层侧壁表面具有侧墙，且所述侧墙覆盖部分鳍部顶部初始隔离结构的顶部表面；以所述保护层和侧墙为掩膜，去除部分所述初始隔离结构，在所述隔离区形成第一隔离结构，所述第一隔离结构充满所述开口，并在器件区形成覆盖鳍部部分侧壁的第二隔离结构，所述第二隔离结构的顶部表面低于鳍部的顶部表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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