[发明专利]阵列基板及其制造方法、触控显示面板、触控显示装置在审

专利信息
申请号: 201810027586.9 申请日: 2018-01-11
公开(公告)号: CN107957822A 公开(公告)日: 2018-04-24
发明(设计)人: 马明超;樊君;李付强 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种阵列基板及其制造方法、触控显示面板、触控显示装置,涉及触控显示技术领域,用于降低触控显示面板工作时的功耗,同时避免因在有机材料上形成金属的触控电极而造成溅射腔室的污染。所述阵列基板包括形成在衬底基板上的薄膜晶体管;绝缘平坦化层,绝缘平坦化层位于薄膜晶体管上,绝缘平坦化层中具有暴露出薄膜晶体管的漏极的过孔;像素电极,像素电极位于绝缘平坦化层背向薄膜晶体管的一侧,像素电极通过过孔与薄膜晶体管的漏极连接;公共电极,公共电极位于像素电极背向绝缘平坦化层的一侧;触控电极,触控电极位于公共电极背向像素电极的一侧,触控电极与对应的公共电极连接。
搜索关键词: 阵列 及其 制造 方法 显示 面板 显示装置
【主权项】:
一种阵列基板,其特征在于,包括:形成在衬底基板上的薄膜晶体管;绝缘平坦化层,所述绝缘平坦化层位于所述薄膜晶体管上,所述绝缘平坦化层中具有暴露出所述薄膜晶体管的漏极的过孔;像素电极,所述像素电极位于所述绝缘平坦化层背向所述薄膜晶体管的一侧,所述像素电极通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接;公共电极,所述公共电极位于所述像素电极背向所述绝缘平坦化层的一侧;触控电极,所述触控电极位于所述公共电极背向所述像素电极的一侧,所述触控电极与对应的所述公共电极连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810027586.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top