[发明专利]改善聚合物残留的方法及半导体结构在审
| 申请号： | 201810029234.7 | 申请日： | 2018-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN108231748A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 王建鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L23/66;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善聚合物残留的方法，包括步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成磁性复合层；在所述磁性复合层上形成导电层；在所述导电层上形成阻挡层；刻蚀所述阻挡层形成开口，所述开口暴露出所述导电层；在所述开口中形成金属层，所述金属层通过所述导电层与所述磁性复合层欧姆接触。本发明采用导电层作为阻挡层与磁性复合层的缓冲隔离层，阻挡层被刻蚀完之后，再刻蚀导电层，可以保护磁性复合层；用含钛材料做导电层，干法刻蚀后，钛的反应物是易挥发的物质，残留物易清洗，刻蚀所得表面比较干净，提高了产品的性能与良率；此外，易挥发的反应物对干法刻蚀腔体的环境污染较小，刻蚀腔体维护周期长，提高了生产效率并降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 导电层 复合层 阻挡层 刻蚀 聚合物残留 开口 干法刻蚀 反应物 金属层 易挥发 衬底 半导体结构 缓冲隔离层 刻蚀导电层 含钛材料 刻蚀腔体 欧姆接触 生产效率 维护周期 易清洗 良率 腔体 生产成本 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种改善聚合物残留的方法，其特征在于，包括步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成磁性复合层；在所述磁性复合层上形成导电层；在所述导电层上形成阻挡层；刻蚀所述阻挡层形成开口，所述开口暴露出所述导电层；以及在所述开口中形成金属层，所述金属层通过所述导电层与所述磁性复合层欧姆接触。
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