[发明专利]一种三极管以及其封装方法在审

专利信息
申请号: 201810029660.0 申请日: 2018-01-12
公开(公告)号: CN108198798A 公开(公告)日: 2018-06-22
发明(设计)人: 钟煌煌;汤优培;王朝中 申请(专利权)人: 广州新星微电子有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L29/73;H01L21/331
代理公司: 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 代理人: 胡吉科
地址: 510880 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及三极管和三极管封装领域,具体为一种三极管以及其封装方法,所述三极管包括三极管芯片、引线框架,包括基板、引脚、中筋和底筋、键合铜丝和环氧模塑料,采用黄铜作为引线框架基板的材料,所述引线框架预镀有金属镍镀层,所述金属镍镀层上镀一层纯铜;一种三极管封装工艺,依次包括划片、粘片、压焊、塑封、后固化、去溢料、打标、电镀锡、切中筋、切粒、测试、包装。本发明三极管和常规的三极管性能相近,通过本发明的技术手段,节省了企业成本,创造了经济效益。
搜索关键词: 三极管 引线框架 封装 金属镍镀层 基板 环氧模塑料 三极管芯片 封装工艺 技术手段 键合铜丝 企业成本 常规的 电镀锡 后固化 纯铜 打标 底筋 划片 黄铜 切粒 塑封 压焊 溢料 引脚 预镀 粘片 测试
【主权项】:
1.一种三极管,包括三极管芯片,环氧模塑料,引线框架和键合铜丝,其中引线框架包括基板、引脚、中筋和底筋,其特征在于,所述引线框架采用黄铜制作,所述引线框架预镀镍,镍层上再镀纯铜,纯铜层外镀锡。
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