[发明专利]光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法有效

专利信息
申请号: 201810029848.5 申请日: 2018-01-12
公开(公告)号: CN110032037B 公开(公告)日: 2022-04-15
发明(设计)人: 闵金华;李艳丽;郝静安;沈泫 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: G03F1/36 分类号: G03F1/36
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 徐文欣;吴敏
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法,修正方法包括:对子目标图形进行OPC修正,得到初始修正图形;对初始修正图形进行若干次第一模拟曝光,得到若干曝光条件下的若干第一模拟曝光图形;在各第一模拟曝光图形中获取检测标记位置,所述检测标记位置对应的图形在特征尺寸方向的尺寸在第一阈值范围外;根据检测标记位置对应的图形在特征尺寸方向的尺寸和第一阈值范围,对检测标记位置对应的初始修正图形进行至少一次修正,获得修正图形。增大了修正图形的工艺窗口。
搜索关键词: 光学 邻近 修正 方法 掩膜版 制作方法
【主权项】:
1.一种光学邻近修正方法,其特征在于,包括:提供目标图形,目标图形中具有若干子目标图形,子目标图形具有特征尺寸方向;获取曝光能量极值E0、曝光焦深极值f0、曝光偏移能量Eδ和曝光偏移焦深fφ;在曝光能量极值E0和曝光焦深极值f0的条件下,对子目标图形进行OPC修正,得到初始修正图形;在若干曝光条件下对初始修正图形进行若干次第一模拟曝光,得到若干曝光条件下的若干第一模拟曝光图形,在第一模拟曝光的若干曝光条件中,部分曝光条件的曝光能量为E0,部分曝光条件的曝光能量为E0+Eδ,部分曝光条件的曝光能量为E0‑Eδ,部分曝光条件的焦深为f0,部分曝光条件的焦深为f0‑fφ,部分曝光条件的焦深为f0+fφ;在各第一模拟曝光图形中获取检测标记位置,所述检测标记位置对应的图形在特征尺寸方向的尺寸在第一阈值范围外;根据检测标记位置对应的图形在特征尺寸方向的尺寸和第一阈值范围,对检测标记位置对应的初始修正图形进行至少一次修正,直至检测标记位置的图形在特征尺寸方向的尺寸在第一阈值范围内,获得修正图形。
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