[发明专利]光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法有效
申请号: | 201810029848.5 | 申请日: | 2018-01-12 |
公开(公告)号: | CN110032037B | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 闵金华;李艳丽;郝静安;沈泫 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣;吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法,修正方法包括:对子目标图形进行OPC修正,得到初始修正图形;对初始修正图形进行若干次第一模拟曝光,得到若干曝光条件下的若干第一模拟曝光图形;在各第一模拟曝光图形中获取检测标记位置,所述检测标记位置对应的图形在特征尺寸方向的尺寸在第一阈值范围外;根据检测标记位置对应的图形在特征尺寸方向的尺寸和第一阈值范围,对检测标记位置对应的初始修正图形进行至少一次修正,获得修正图形。增大了修正图形的工艺窗口。 | ||
搜索关键词: | 光学 邻近 修正 方法 掩膜版 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种光学邻近修正方法,其特征在于,包括:提供目标图形,目标图形中具有若干子目标图形,子目标图形具有特征尺寸方向;获取曝光能量极值E0、曝光焦深极值f0、曝光偏移能量Eδ和曝光偏移焦深fφ;在曝光能量极值E0和曝光焦深极值f0的条件下,对子目标图形进行OPC修正,得到初始修正图形;在若干曝光条件下对初始修正图形进行若干次第一模拟曝光,得到若干曝光条件下的若干第一模拟曝光图形,在第一模拟曝光的若干曝光条件中,部分曝光条件的曝光能量为E0,部分曝光条件的曝光能量为E0+Eδ,部分曝光条件的曝光能量为E0‑Eδ,部分曝光条件的焦深为f0,部分曝光条件的焦深为f0‑fφ,部分曝光条件的焦深为f0+fφ;在各第一模拟曝光图形中获取检测标记位置,所述检测标记位置对应的图形在特征尺寸方向的尺寸在第一阈值范围外;根据检测标记位置对应的图形在特征尺寸方向的尺寸和第一阈值范围,对检测标记位置对应的初始修正图形进行至少一次修正,直至检测标记位置的图形在特征尺寸方向的尺寸在第一阈值范围内,获得修正图形。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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