[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201810039009.1 | 申请日： | 2018-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN108364929A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 小汲泰一 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。在多芯片WL－CSP中，不损害薄型性地实现半导体芯片间的连接的可靠性的提高。半导体装置包含：再布线，被设置在第一半导体芯片的主面上；绝缘膜，覆盖再布线的表面，具有使再布线分别局部地露出的第一开口部以及第二开口部；第一电极，被设置在绝缘膜上，在第一开口部与再布线连接，由与再布线相同的材料构成；以及第二电极，被设置在绝缘膜上，在第二开口部与再布线连接，由与第一电极不同的材料构成。 | ||
| 搜索关键词： | 再布线 半导体装置 开口部 绝缘膜 半导体芯片 第一电极 第二电极 多芯片 薄型 制造 覆盖 损害 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包含：再布线，被设置在第一半导体芯片的主面上；绝缘膜，覆盖所述再布线的表面，具有使所述再布线分别局部地露出的第一开口部以及第二开口部；第一电极，被设置在所述绝缘膜上，在所述第一开口部与所述再布线连接，由与所述再布线相同的材料构成；以及第二电极，被设置在所述绝缘膜上，在所述第二开口部与所述再布线连接，由与所述第一电极不同的材料构成。
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