[发明专利]MOS电容与MOM电容并联的版图结构在审
| 申请号： | 201810040057.2 | 申请日： | 2018-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN108257952A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 武超;胡旭;张喆;杨季;胡毅;唐晓柯 | 申请（专利权）人： | 北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/08 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 周际;张鹏 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种MOS电容与MOM电容并联的版图结构。MOS电容层与MOM电容层相叠加，MOS电容的栅极与MOM电容的第一极板通过多个过孔相连，MOS电容的源极和漏极以及衬底通过多个过孔与MOM电容的第二极板相连，所述第一极板与所述第二极板极性相反。本发明提供的MOS电容与MOM电容并联的版图结构，在原有去耦电容的版图基础上利用同层金属构成的电容，以及多层金属堆叠的结构并联于去耦电容，从而可以在较小的面积下获得更大的电容值，更适应集成电路超深亚微米工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 版图结构 并联 极板 去耦 超深亚微米工艺 多层金属 极板极性 结构并联 衬底 堆叠 漏极 同层 源极 集成电路 叠加 金属 | ||
【主权项】：
1.一种MOS电容与MOM电容并联的版图结构，其特征在于，MOS电容层与MOM电容层相叠加，MOS电容的栅极与MOM电容的第一极板通过多个过孔相连，MOS电容的源极和漏极以及衬底通过多个过孔与MOM电容的第二极板相连，所述第一极板与所述第二极板极性相反。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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