[发明专利]形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201810042820.5 | 申请日： | 2018-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN109585372B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 余德伟;陈建豪;方子韦;杨育佳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 形成半导体器件的方法包括在多个条上沉积硅层。回蚀刻硅层以去除硅层的顶部，以及暴露多个条的一些部分。在回蚀刻之后，位于沟槽的底部处的硅层的一些底部保留。从硅层的剩余部分选择性生长锗层，并且在选择性生长锗层之后，多个条的暴露部分保持暴露。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，包括：在多个条上沉积第一硅层，其中，在所述多个条之间存在沟槽；回蚀刻所述第一硅层以去除所述第一硅层的顶部，并且暴露所述多个条的一些部分，其中，在所述回蚀刻之后，位于所述沟槽的底部处的所述第一硅层的一些底部保留；以及选择性生长第一锗层，其中，所述第一锗层从所述第一硅层的剩余部分选择性生长，并且在选择性生长所述第一锗层之后，所述多个条的暴露部分保持暴露。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
