[发明专利]一种掩模板、显示基板以及显示装置在审
申请号: | 201810043420.6 | 申请日: | 2018-01-17 |
公开(公告)号: | CN108227368A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 张小祥;郭会斌;宋勇志;刘明悬;徐文清;李小龙;吴祖谋 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及显示装置制作技术领域,公开了一种掩模板、显示基板以及显示装置,以提高显示装置的分辨率,从而提高显示装置的显示品质。掩模板包括:基板、以及位于基板一侧且相对设置的第一曝光结构和第二曝光结构,其中:第一曝光结构包括第一透光膜层和第一遮光膜层,第一遮光膜层在基板上的正投影落入第一透光膜层在基板上的正投影内;第二曝光结构包括第二透光膜层和第二遮光膜层,第二遮光膜层在基板上的正投影落入第二透光膜层在基板上的正投影内;第一曝光结构靠近第二曝光结构的侧边具有第一锯齿状结构,第二曝光结构靠近第一曝光结构的侧边具有第二锯齿状结构。 | ||
搜索关键词: | 曝光结构 基板 显示装置 透光膜层 遮光膜层 正投影 掩模板 锯齿状结构 显示基板 侧边 显示品质 相对设置 分辨率 制作 | ||
【主权项】:
1.一种掩模板,其特征在于,包括基板、以及位于所述基板一侧且相对设置的第一曝光结构和第二曝光结构,其中:所述第一曝光结构包括第一透光膜层和第一遮光膜层,所述第一遮光膜层在所述基板上的正投影落入所述第一透光膜层在所述基板上的正投影内;所述第二曝光结构包括第二透光膜层和第二遮光膜层,所述第二遮光膜层在所述基板上的正投影落入所述第二透光膜层在所述基板上的正投影内;所述第一曝光结构靠近所述第二曝光结构的侧边具有第一锯齿状结构,所述第二曝光结构靠近所述第一曝光结构的侧边具有第二锯齿状结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810043420.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备