[发明专利]光器件晶片的加工方法有效
| 申请号： | 201810044091.7 | 申请日： | 2018-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN108461396B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 冈村卓 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B23K26/364;B28D5/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供光器件晶片的加工方法，即使是莫氏硬度高的基板，也在分割后的器件芯片上形成倾斜面。该光器件晶片的加工方法沿着分割预定线将光器件晶片(W)分割成各个器件芯片(C)，构成为包含如下的步骤：对晶片基板照射吸收性波长的激光光线，在光器件晶片的背面上沿着分割预定线形成激光加工槽(12)；以及利用V形刀具(33)在背面上沿着激光加工槽形成V形槽(13)并使裂纹从激光加工槽向下方伸展而将光器件晶片分割成器件芯片，其中，激光加工槽形成得比V形刀具的切入深度浅。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光器件晶片的加工方法，将光器件晶片沿着形成于正面的分割预定线分割成各个光器件，其特征在于，该光器件晶片的加工方法包含如下的步骤：激光加工槽形成步骤，沿着该分割预定线照射对于晶片基板具有吸收性的波长的激光光线，在该光器件晶片上沿着该分割预定线形成激光加工槽；以及V形槽分割步骤，在实施了该激光加工槽形成步骤之后，利用前端呈V形状的切削刀具沿着该激光加工槽形成V形槽，并且一边利用该切削刀具将该激光加工槽去除，一边利用切削动作使龟裂从该激光加工槽伸展而将该光器件晶片分割成各个光器件，该激光加工槽是按照比利用该前端呈V形状的切削刀具切入的深度浅的深度而形成的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
