[发明专利]多晶硅引晶涂层的制备方法及铸锭坩埚

摘要

本发明提供了一种多晶硅引晶涂层的制备方法及铸锭坩埚。上述多晶硅引晶涂层的制备方法及铸锭坩埚，通过设置第一石英砂层和第二石英砂层，形成高低有差的引晶层，以使铸锭时产生细小晶粒，且第一石英砂层和第二石英砂层为异质引晶，因此可以不再利用底部籽晶引晶(同质引晶)，避免籽晶熔完的风险(籽晶熔完会导致晶粒过大，整锭良率不合格)，因此不需要安排测试人员进行实时测试；其次通过上述工艺，在引晶过程中第一石英砂层和第二石英砂层全部熔化，多晶硅的尾部不会产生孔洞，在切除尾部红区时，因尾部较为平整，只需切除一次即可，有效降低生产成本和后端加工成本。

主权项

1.一种多晶硅引晶涂层的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在坩埚的内侧壁涂设一层SiO2后，将所述坩埚放入无尘车间静置；将质量比为1:1的氮化硅和纯水混合后充分搅拌10‑20min以形成第一混合物，并将所述第一层混合物均匀填满所述坩埚的底部，以形成第一涂层，然后静置20‑40min；将质量比为3:6:1的氮化硅、纯水以及硅溶胶混合后充分搅拌15‑25min以形成第二混合物，并将所述第二混合物均匀设于所述第一涂层上端，以形成第二涂层，并立即将与第二混合物中氮化硅的质量比为5：1的石英砂均匀设于所述第二涂层的上端，以形成第一石英砂层；静置预设时间后，再将与第二混合物中氮化硅的质量比为5：1的石英砂均匀设于所述第一石英砂层上端，以形成第二石英砂层，并将所述坩埚进行微波干燥，温度设定为60℃‑70℃，干燥的时长为15‑25min。