[发明专利]存储装置在审
| 申请号： | 201810046665.4 | 申请日： | 2018-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN109524431A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 石川贵之;岡嶋睦;塚本隆之 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种容易写入的存储装置。实施方式的存储装置具备：第1层间绝缘膜，在第1方向伸长；第2层间绝缘膜，在第1方向伸长；第1导电层，在第1方向伸长且设置在第1层间绝缘膜与第2层间绝缘膜之间；第2导电层，在与第1方向交叉的第2方向伸长；可变电阻层，具有第1部分及第2部分，第1部分设置在第1层间绝缘膜与第2层间绝缘膜之间，第2部分设置在第2导电层与第1层间绝缘膜、第1导电层及第2层间绝缘膜之间；以及侧壁绝缘膜，设置在第1部分与第1层间绝缘膜之间及第1部分与第2层间绝缘膜之间。 | ||
| 搜索关键词： | 层间绝缘膜 导电层 伸长 存储装置 侧壁绝缘膜 可变电阻层 方向交叉 写入 | ||
【主权项】：
1.一种存储装置，其特征在于具备：第1层间绝缘膜，在第1方向伸长；第2层间绝缘膜，在所述第1方向伸长；第1导电层，在所述第1方向伸长且设置在所述第1层间绝缘膜与所述第2层间绝缘膜之间；第2导电层，在与所述第1方向交叉的第2方向伸长；可变电阻层，具有第1部分及第2部分，所述第1部分设置在所述第1层间绝缘膜与所述第2层间绝缘膜之间，所述第2部分设置在所述第2导电层与所述第1层间绝缘膜、所述第1导电层及所述第2层间绝缘膜之间；以及侧壁绝缘膜，设置在所述第1部分与所述第1层间绝缘膜之间及所述第1部分与所述第2层间绝缘膜之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
