[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201810047268.9 | 申请日： | 2018-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN109119467A | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 小林仁 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供制造容易的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：半导体板；第1电极部件，设置在半导体板内；第1绝缘膜，设置在半导体板的第1面上，覆盖第1电极部件；第1焊盘，设置在第1绝缘膜上，连接于第1面；第2焊盘，设置在第1绝缘膜上，与第1焊盘分离；以及接触件，将第2焊盘连接到第1电极部件。第1电极部件具有配置在第1焊盘的正下方区域的第1部分和配置在第2焊盘的正下方区域的第2部分。第1部分中的宽度方向两端部的上表面位于比第1部分中的宽度方向中央部的上表面靠上方的位置。第2部分的上表面中的宽度方向端部与宽度方向中央部的高度差小于第1部分的上表面中的宽度方向端部与宽度方向中央部的高度差。 | ||
| 搜索关键词： | 焊盘 电极部件 上表面 宽度方向中央部 半导体装置 半导体板 绝缘膜 宽度方向端部 高度差 制造 接触件 两端部 配置 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中，具备：半导体板；第1电极部件，设置在所述半导体板内；第1绝缘膜，设置在所述半导体板的第1面上，覆盖所述第1电极部件；第1焊盘，设置在所述第1绝缘膜上，连接于所述第1面；第2焊盘，设置在所述第1绝缘膜上，与所述第1焊盘分离；以及接触件，将所述第2焊盘连接到所述第1电极部件；所述第1电极部件具有：第1部分，配置在所述第1焊盘的正下方区域；以及第2部分，配置在所述第2焊盘的正下方区域；所述第1部分中的宽度方向两端部的上表面位于比所述第1部分中的宽度方向中央部的上表面靠上方的位置；所述第2部分的上表面中的宽度方向端部与宽度方向中央部的高度差小于所述第1部分的上表面中的宽度方向端部与宽度方向中央部的高度差。
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