[发明专利]一种硅片插片装置在审
| 申请号： | 201810047452.3 | 申请日： | 2018-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN110060937A | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 张志康;喻由之;徐坤 | 申请（专利权）人： | 江西宝群电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330000 江西省南昌*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种硅片插片装置。市场上现有的插片机，其对硅片整形主要采用动态整形机构，通过气缸或者电机驱动的方式，使输送线两侧的整形板往中间收缩对硅片整形，这种整形方式容易对硅片边缘造成损伤，导致硅片不良率增加。本发明涉及一种硅片插片装置，其中：整形输送模组与硅片缓冲模组之间设有提升模组，整形输送模组、提升模组、硅片缓冲模组均安装于插片机机架，花篮置于提升模组上。本装置采用静态整形的方式，由电机带动同步带对硅片进行整形，并增加导向，有效减少整形过程中对硅片造成的损伤，减少不良率；同时，采用特殊结构的硅片缓冲模组，实现对硅片的高速插片同时，对硅片进行缓冲，使硅片不与花篮底部撞击，保证硅片的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 整形 插片装置 缓冲模组 提升模 输送模组 不良率 插片机 花篮 损伤 电机带动 电机驱动 硅片边缘 有效减少 整形方式 整形过程 整形机构 输送线 同步带 整形板 插片 缓冲 气缸 收缩 保证 | ||
【主权项】：
1.一种硅片插片装置，包括整形输送模组、提升模组、花篮、插片机机架、硅片缓冲模组；其特征在于：整形输送模组与硅片缓冲模组之间设有提升模组，整形输送模组、提升模组、硅片缓冲模组均安装于插片机机架，花篮置于提升模组上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西宝群电子科技有限公司，未经江西宝群电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810047452.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
