[发明专利]多晶硅薄膜的制作方法有效
| 申请号： | 201810052171.7 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN108493094B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 朱阳杰;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 杨波 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种多晶硅薄膜的制作方法，包括提供一基板；在所述基板的上表面形成量子点层；在所述量子点层上形成非晶硅薄膜；以及将所述非晶硅薄膜中的非晶硅晶化，以形成多晶硅薄膜；其中，所述量子点层中的量子点密度均匀，所述密度均匀的量子点用于作为诱导非晶硅晶化的晶籽。本发明的多晶硅薄膜的制作方法在基板上形成大小及位置可控的量子点，并利用密度均匀的量子点作为诱导非晶硅晶化的晶籽，从而能增大多晶硅晶畴尺寸并改善晶畴尺寸的均一性，进而提高多晶硅的迁移率的大小和均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，包括：提供一基板；在所述基板的上表面形成量子点层；在所述量子点层上形成非晶硅薄膜；以及将所述非晶硅薄膜中的非晶硅晶化，以形成多晶硅薄膜；其中，所述量子点层中的量子点密度均匀，所述密度均匀的量子点用于作为诱导非晶硅晶化的晶籽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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